? ? ? ?電(dian)子(zi)級(ji)聚(ju)酰亞胺（PI）薄膜在(zai)(zai)柔性印刷電(dian)路、柔性電(dian)子(zi)顯示(shi)、5G通(tong)信導(dao)熱膜等(deng)領(ling)域有(you)著廣(guang)闊(kuo)的市場(chang)應用前景(jing)，目前國內PI薄膜行業的整(zheng)體(ti)水平(ping)與國外(wai)存在(zai)(zai)差(cha)距，電(dian)子(zi)級(ji)PI薄膜領(ling)域主要(yao)被國外(wai)巨頭占據(ju)，產(chan)品嚴重依賴進口。

? ? ? ?一、PI膜用(yong)于OLED柔性(xing)顯示。

? ? ? ?OLED柔(rou)性(xing)(xing)顯(xian)示(shi)技術(shu)正(zheng)向(xiang)可折疊(die)、可卷(juan)曲方向(xiang)發展，而(er)實現(xian)柔(rou)性(xing)(xing)化的關鍵材料是聚酰(xian)亞胺薄膜(mo)(mo)。柔(rou)性(xing)(xing)顯(xian)示(shi)需要使用聚酰(xian)亞胺薄膜(mo)(mo)的單(dan)元產品主(zhu)要有顯(xian)示(shi)基板(ban)、顯(xian)示(shi)封裝(zhuang)基板(ban)、觸屏基板(ban)，觸屏蓋板(ban)，顯(xian)示(shi)屏蓋板(ban)等。

? ? ? ? OLED顯示使(shi)用的(de)(de)聚酰(xian)亞胺薄(bo)(bo)膜(mo)需兼有耐高(gao)溫(wen)(wen)和無色透明等兩方(fang)面的(de)(de)性(xing)能。在柔性(xing)OLED器件的(de)(de)加(jia)工過程中(zhong)，低(di)溫(wen)(wen)多晶硅薄(bo)(bo)膜(mo)晶體管（LTPS-TFT）的(de)(de)加(jia)工溫(wen)(wen)度不(bu)低(di)于(yu)(yu)450 ℃，因此(ci)，聚酰(xian)亞胺薄(bo)(bo)膜(mo)作為柔性(xing)基(ji)板(ban)也要(yao)求極高(gao)的(de)(de)耐熱性(xing)能（Tg>450℃）；另外還要(yao)求聚酰(xian)亞胺薄(bo)(bo)膜(mo)在室溫(wen)(wen)~400 ℃范圍內具有超低(di)熱膨脹(zhang)系數（CTE<4 ppm/ ℃），以(yi)確保(bao)高(gao)溫(wen)(wen)制程中(zhong)的(de)(de)尺寸穩定(ding)性(xing)。相較于(yu)(yu)FCCL中(zhong)聚酰(xian)亞胺薄(bo)(bo)膜(mo)的(de)(de)低(di)CTE，柔性(xing)顯示基(ji)板(ban)要(yao)求更低(di)。

? ? ? ?在(zai)(zai)結構設計上(shang)，柔性顯示基(ji)板(ban)所用聚(ju)酰亞胺(an)可采用剛性棒狀、分子(zi)間氫鍵或(huo)化學交聯(lian)基(ji)團(tuan)等(deng)結構單元，以實(shi)現(xian)超高耐熱、超低熱膨脹系數(shu)。另外，傳統(tong)PI透明薄(bo)膜通常(chang)為黃(huang)色(se)或(huo)棕色(se)，為提高PI薄(bo)膜的透明度(du)，可在(zai)(zai)設計PI分子(zi)結構時引入(ru)大(da)取代基(ji)、含氟基(ji)團(tuan)或(huo)引入(ru)脂(zhi)環結構二(er)酐或(huo)二(er)胺(an)等(deng)，有效(xiao)抑制PI分子(zi)鏈中影(ying)響透光性物質(zhi)的形成(cheng)，進而得到無色(se)透明的PI薄(bo)膜。

? ? ? ?二(er)、PI膜用于(yu)5G通信。

? ? ? ?在(zai)微電子(zi)(zi)封裝(zhuang)領(ling)域，聚酰(xian)亞胺（PI）薄膜因(yin)為(wei)其優異(yi)的(de)(de)綜合(he)性(xing)能被認為(wei)是(shi)(shi)理(li)想(xiang)的(de)(de)封裝(zhuang)材料，特(te)別是(shi)(shi)在(zai)柔性(xing)封裝(zhuang)基板方面。隨(sui)著(zhu)電子(zi)(zi)器(qi)件的(de)(de)高速(su)發(fa)展，集成(cheng)化(hua)(hua)、微型化(hua)(hua)、輕薄化(hua)(hua)以及(ji)5G通(tong)信帶來的(de)(de)高頻化(hua)(hua)成(cheng)為(wei)電子(zi)(zi)器(qi)件的(de)(de)發(fa)展新趨勢(shi)，在(zai)電子(zi)(zi)器(qi)件中(zhong)應用的(de)(de)聚酰(xian)亞胺絕緣(yuan)薄膜因(yin)此面臨(lin)著(zhu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)高的(de)(de)導熱要求。

? ? ? ?傳統的(de)聚(ju)酰亞(ya)胺(an)薄膜(mo)導(dao)熱(re)系(xi)數在(zai)0.2 W/(m·K)以(yi)(yi)下，無法(fa)滿(man)足電(dian)子器件的(de)快速散熱(re)要(yao)求。近幾年，國(guo)內外研究人員采用導(dao)熱(re)填料(liao)(liao)與聚(ju)酰亞(ya)胺(an)樹脂共混的(de)方式來提高聚(ju)酰亞(ya)胺(an)薄膜(mo)的(de)導(dao)熱(re)性(xing)能(neng)。添加具有(you)良好的(de)導(dao)熱(re)性(xing)和絕緣性(xing)陶瓷類填料(liao)(liao)是制備導(dao)熱(re)絕緣薄膜(mo)的(de)首選方案，主要(yao)填料(liao)(liao)種類有(you)氮化(hua)硼、氮化(hua)鋁、氮化(hua)硅(gui)等。導(dao)熱(re)填料(liao)(liao)的(de)尺寸大小(xiao)、加入量以(yi)(yi)及填料(liao)(liao)與基(ji)體界面的(de)相(xiang)互作用對復合材料(liao)(liao)的(de)導(dao)熱(re)系(xi)數有(you)重(zhong)要(yao)的(de)影響。

? ? ? ?電子器件的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)展向微型化(hua)、薄型化(hua)、集(ji)成化(hua)轉變，在(zai)運行過程中單(dan)位體積(ji)產(chan)生的(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)量急劇增加，尤(you)其 5G 高頻通信對(dui) PI 絕緣導(dao)熱(re)(re)膜(mo)(mo)(mo)提出了更(geng)高的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求。5G 時代(dai)下(xia)的(de)(de)(de)(de)(de)電子產(chan)品普及(ji)拉(la)動了 PI 導(dao)熱(re)(re)膜(mo)(mo)(mo)需(xu)求。各類消費電子中，智(zhi)能(neng)手機(ji)對(dui)散熱(re)(re)材料的(de)(de)(de)(de)(de)需(xu)求量占比很大(da)(da)。隨(sui)(sui)著 5G 技術的(de)(de)(de)(de)(de)推廣，平(ping)板電腦(nao)因其攜(xie)帶方便、顯示效果良好等優點，贏(ying)得了更(geng)多市場商(shang)機(ji)， 超薄化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)展趨勢有望擴(kuo)大(da)(da) PI 導(dao)熱(re)(re)膜(mo)(mo)(mo)需(xu)求。隨(sui)(sui)著個人(ren)電腦(nao)性能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)不斷提高，功耗和發(fa)熱(re)(re)量會(hui)大(da)(da)幅增加，單(dan)臺所需(xu)的(de)(de)(de)(de)(de)散熱(re)(re)膜(mo)(mo)(mo)面積(ji)擴(kuo)大(da)(da)，未來 PC 所需(xu)要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de) PI 導(dao)熱(re)(re)膜(mo)(mo)(mo)也有望增加。